9月12日消息，三星电子官方宣布，已经开始批量生产第九代QLC V-NAND闪存，单颗容量1Tb(128GB)。
就在今年4月，三星开始量产第九代TLC V-NAND闪存，二者只间隔4个月。
三星第九代QLC NAND闪存加入了多项创新：
一是通道孔蚀刻(Channel Hole Etching)。
基于双堆栈架构，实现了当前业内高的单元堆叠层数(具体未公开)。同时优化存储单元面积、外围电路，位密度比上代提升约86％。
二是预设模具(Designed Mold)。
可以调整、控制存储单元的字线(Word Line)间距，确保同一单元层内、单元层之间的存储单元的特性保持一致，达到佳效果，数据保持性能提升约20％，增强了可靠性。
三是预测程序(Predictive Program)。
能够预测、控制存储单元的状态变化，尽可能减少不必要的操作，写入性能翻倍，数据输入/输出速度提升60％。
四是低功耗设计(Low-Power Design)。
降低了驱动NAND存储单元所需的电压，只感测必要的位线(Bit Line)，数据读取功耗约分别下降了约30％、50％。
三星第九代QLC V-NAND闪存将首先用于消费电子产品，然后逐步在UFS、PC、服务器领域铺开。
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