这几年，Intel以空前的力度推进先进制程工艺，希望以快的速度反超台积电，重夺领先地位，现在又重申了这一路线，尤其是意欲通过未来的14A 1.4nm级工艺，在未来巩固自己的领先地位。
目前，Intel正在按计划实现其“四年五个制程节点”的目标，Intel 7工艺、采用EUV极紫外光刻技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。
其中，Intel 3作为升级版，应用于服务器端的Sierra Forest、Granite Rapids，将在今年陆续发布，其中前者首次采用纯E核设计，多288个。
Intel 20A和Intel 18A两个节点正在顺利推进中，分别相当于2nm、1.8nm，将继续采用EUV技术，并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术。
凭借它们两个，Intel希望能在2025年重夺制程领先性。
之后，Intel将继续采用创新技术，推进未来制程节点的开发和制造，以巩固领先性。
其中一个关键点就是High NA EUV技术，而数值孔径（NA）正是衡量收集和集中光线能力的指标。
通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，从而有助于晶体管的进一步微缩。
作为Intel 18A之后的下一个先进制程节点，Intel 14A 1.4nm级就将采用High NA EUV光刻技术。
为了制造出特征尺寸更小的晶体管，在集成High NA EUV光刻技术的同时，Intel也在同步开发新的晶体管结构，并改进工艺步骤，如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、简化流程。
此外，Intel还公布了Intel 3、Intel 18A、Intel 14A的数个演化版本，以帮助客户开发和交付符合其特定需求的产品。
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